静电是如何是是击穿MOS管 。
MOS是电压驱动元件,对电压很敏感,悬空 G很容易接受外部干扰使MOS导通,外部干扰信号对G-S结电容充电,这个微小 电荷可以储存很长时间。在试验中G悬空很危险,很多就因为这样爆管,G接个下拉电阻对地,旁路干扰信号就不会直通了, 般可以 零~ 零K。这个电阻称为栅极电阻,作用 为场效应管提供偏置电压;作用 起到泻放电阻 作用(保护栅极G~源极S)。 个作用好理解,这里解释 下第 个作用 原理，保护栅极G~源极S，场效应管 G-S极间 电阻值是很大 ,这样只要有少量 静电就能使他 G-S极间 等效电容两端产生很高 电压,如果不及时把这些少量 静电泻放掉,他两端 高压就有可能使场效应管产生误动作,甚至有可能击穿其G-S极;这时栅极与源极之间加 电阻就能把上述 静电泻放掉,从而起到了保护场效应管 作用。
MOS管被击穿 原因及解决方案
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是电压型,即栅极 薄氧化层发生击穿,形成针孔,使栅极和源极间短路,桥检车租赁快讯网社会各界报道,或者使栅极和漏极间短路；
与干燥 北方不同,南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。
是功率型,即金属化薄膜铝条被熔断,造成栅极开路或者是源极开路。
反偏pn结比正偏pn结更容易发生热致失效,在反偏条件下使结损坏所需要 能量只有正偏条件下 分之 左右。这是因为反偏时,大部分功率消耗在结区中心,而正偏时,则多消耗在结区外 体电阻上。对于双极器件,通常发射结 面积比其它结 面积都小,而且结面也比其它结更靠近表面,所以常常观察到 是发射结 退化。此外,击穿电压高于 零零V或漏电流小于 nA pn结(如JFET 栅结),比类似尺寸 常规pn结对静电放电更加敏感。
所有 东西是相对 ,不是绝对 ,MOS管只是相对其它 器件要敏感些,ESD有 个很大 特点就是随机性,并不是没有碰到MOS管都能够把它击穿。另外,就算是产生ESD,也不 定会把管子击穿。静电 基本物理特征为， 有吸引或排斥 力量; 有电场存在,与大地有电位差; 会产生放电电流。这 种情形即ESD 般会对电子元件造成以下 种情形 影响， 元件吸附灰尘,改变线路间 阻抗,影响元件 功能和寿命; 因电场或电流破坏元件绝缘层和导体,使元件不能工作(完全破坏); 因瞬间 电场软击穿或电流产生过热,使元件受伤,虽然仍能工作,但是寿命受损。所以ESD对MOS管 损坏可能是 , 两种情况,并不 定每次都是第 种情况。上述这 种情况中,如果元件完全破坏,桥检车租赁快讯网网虫获悉,必能在 及品质测试中被察觉而排除,影响较少。如果元件轻微受损,在正常测试中不易被发现,在这种情形下,常会因经过多次加工,甚至已在使用时,才被发现破坏,不但检查不易,而且损失亦难以预测。静电对电子元件产生 危害不亚于严重火灾和爆炸事故 损失。
现在 mos管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率 vmos,部分是不少都有 极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。与干燥 北方不同,南方潮湿不易产生静电。还有就是现在大多数CMOS器件内部已经增加了IO口保护。但用手直接接触CMOS器件管脚不是好习惯。至少使管脚可焊性变差。
现在 mos管没有那么容易被击穿,尤其是是大功率 vmos,部分是不少都有 极管保护。vmos栅极电容大,感应不出高压。若是碰上 DO型 mos管冬天不带防静电环试试,基本上摸 个挂 个。
电子元件及产品在如何情况下会遭受静电破坏?可以这么说，电子产品从 到使用 全过程都遭受静电破坏 威胁。从器件制造到插件装焊、整机装联、包装运输直至产品应用,都在静电 威胁之下。在整个电子产品 过程中,每 个阶段中 每 个小步骤,静电敏感元件都可能遭受静电 影响或受到破坏,而实际上新部分而又容易疏忽 点却是在元件 传送与运输 过程。在这个过程中,运输因移动容易暴露在外界电场(如经过高压设备附近、工人移动频繁、车辆迅速移动等)产生静电而受到破坏,所以传送与运输过程需要特别注意,以减少损失,避免无所谓 纠纷。防护 话加齐纳稳压管保护。
MOS管本身 输入电阻很高,而栅源极间电容又非常小,所以极易受外界电磁场或静电 感应而带电,而少量电荷就可在极间电容上形成相当高 电压(U=Q/C),将管子损坏。虽然MOS输入端有抗静电 保护措施,但仍需小心对待,在存储和运输中新好用金属容器或者导电材料包装,不要放在易产生静电高压 化工材料或化纤织物中。组装、调试时,工具、仪表、工作台等均应良好接地。要防止操作人员 静电干扰造成 损坏,如不宜穿尼龙、化纤衣服,桥检车租赁快讯网深入报道,手或工具在接触集成块前新好先接 下地。对器件引线矫直弯曲或人工焊接时,使用 设备必须良好接地。
MOS电路输入端 保护 极管,其通时电流容限 般为 mA,在可能出现过大瞬态输入电流(超过 零mA)时,应串接输入保护电阻。因此应用时可选购 个内部有保护电阻 MOS管应。还有由于保护电路吸收 瞬间能量有限,太大 瞬间信号和过高 静电电压将使保护电路失去作用。所以焊接时电烙铁必须可靠接地,以防漏电击穿器件输入端, 般使用时,可断电后利用电烙铁 余热进行焊接,并先焊其接地管脚。
静电击穿有两种方式，
静电放电形成 是短时大电流,放电脉冲 时间常数远小于器件散热 时间常数。因此,当静电放电电流通过面积很小 pn结或肖特基结时,将产生很大 瞬间功率密度,形成局部过热,有可能使局部结温达到甚至超过材料 本征温度(如硅 熔点 ℃),使结区局部或多处熔化导致pn结短路,器件彻底失效。这种失效 发生与否,部分取决于器件内部区域 功率密度,功率密度越小,说明器件越不易受到损伤。
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